HORIBA-堀場/橢圓偏振光譜儀

Company Profile總部堀場制作所 HORIBA, 創(chuàng)立于1945年 10月17日成立1953年 1月26日總部601-8510 京都市南區(qū)吉祥院宮之東町2番地注冊資本120.11 億日元 ，業(yè)務(wù)范圍生產(chǎn)和銷售汽車排放測量系統(tǒng)、環(huán)境測量儀器、種類齊全的科學(xué)分析儀、體外診斷分析儀和半導(dǎo)體行業(yè)使用的測量設(shè)備等。HORIBA還生產(chǎn)和銷售外圍測量與分析設(shè)備。此外，公司還可為實(shí)驗(yàn)室等機(jī)構(gòu)提供用于研發(fā)、生產(chǎn)和其他應(yīng)用的測量與分析設(shè)備
HORIBA主營產(chǎn)品

生產(chǎn)和銷售汽車排放測量系統(tǒng)、環(huán)境測量儀器、種類齊全的科學(xué)分析儀、體外診斷分析儀和半導(dǎo)體行業(yè)使用的測量設(shè)備等
一.表面/薄膜質(zhì)量/氧含量分析

HORIBA-堀場 橢圓偏振光譜儀

厚度，折射率和消光系數(shù)

一束入射偏振光 與薄膜介質(zhì)相互作用后，測量出射光偏振態(tài)的改變(強(qiáng)度和相位)，

通過模型運(yùn)算，解析出膜的光學(xué)常數(shù)(折射率n，消光系數(shù)k )及各層膜厚

特點(diǎn)

■薄膜的厚度測量范圍從幾個(gè)A到80μ m

■微光斑功能可選

■自動(dòng)平臺(tái)樣 品掃描成像，監(jiān)控所測膜厚均勻性
 重點(diǎn)應(yīng)用

1.晶體管: HEMT、OTFT、MOSFET.CMOS

2.壓電鐵電: PZT、 BST

3.高-K/低-K材料

4.光刻膠1聚合物測試

5.數(shù)據(jù)存儲(chǔ): GeSbTe、DDLC

HORIBA-堀場 輝光放電光譜儀(GD-OES)

晶圓的深度剖析

GD-OES能夠以u m/min的濺射速率對材料進(jìn)行元素深度剖析。另外，GD-OES可以通過元素分布變化來評(píng)估薄膜的厚度，被廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體工藝的研發(fā)和質(zhì)量控制等領(lǐng)域。
 特點(diǎn)

■分析速度快 (μ m/min)

■元素測試范圍寬廣: H(氫)到U (鈾)

■無需前處理和超高真空
重點(diǎn)應(yīng)用

1.氧化/腐蝕研究

2.光學(xué)鍍膜

3.金屬鍍膜

4.表面處理