裝置
常圧CVD(APCVD)裝置
特長
●半導體?電子部品?太陽電池製造用等、様々な用途に対応
●少量生産から大量生産まで対応
●SiO2(NSG,USG)?BPSG?BSG?PSG?AlOx膜等様々な膜が成膜可能
●低溫(200℃)から中溫(450℃)領域まで幅広い成膜が可能
●SiCトレーの採用により重金屬汚染を抑制
概要
●連続式常圧CVD(APCVD)裝置
?小口徑用から12″用までラインナップ
?高スループット（6″-120枚/時?8″-100枚/時?12″-56枚/時）
●枚葉式常圧CVD(APCVD)裝置
?省フットプリント
?SiCウェハ等、ソリの大きなウェハにも対応
●バッチ式常圧CVD(APCVD)裝置
?不定形基板対応
?低溫プロセス対応
基本性能
●連続式常圧CVD(APCVD)裝置: AMAX1200
|
膜厚均一性
|
≦±3.0%
|
|
対応ウェハサイズ
|
12インチ
|
|
ガス種
|
SiH4, O2, PH3, B2H6, N2
|
|
成膜溫度
|
350～430℃
|
|
生産性
|
～56枚/時
|
●連続式常圧CVD(APCVD)裝置: AMAX800V
|
膜厚均一性
|
≦±3.0%
|
|
対応ウェハサイズ
|
(～5インチ)?6インチ?8インチ
|
|
ガス種
|
SiH4, O2, PH3, B2H6, N2
|
|
成膜溫度
|
350～430℃
|
|
生産性
|
～100枚/時
|
●連続式常圧CVD(APCVD)裝置: A6300S
|
膜厚均一性
|
≦±4.0%
|
|
対応ウェハサイズ
|
～6インチ
|
|
ガス種
|
SiH4, O2, PH3, B2H6, N2
|
|
成膜溫度
|
350～430℃
|
|
生産性
|
～120枚/時
|
●枚葉式常圧CVD(APCVD)裝置: A200V
|
膜厚均一性
|
≦±2.0%
|
|
対応ウェハサイズ
|
～8インチ
|
|
ガス種
|
SiH4, O2, PH3, B2H6, N2 (TEOS, TEB, TMOP, O3はオプション)
|
|
成膜溫度
|
300～450℃
|
|
生産性
|
～15枚/時 (500nm成膜時)
|
●バッチ式常圧CVD(APCVD)裝置: D501
|
膜厚均一性
|
膜厚?膜種による
|
|
対応ウェハサイズ
|
加熱可能ゾーンに準じる
|
|
ガス種
|
SiH4, O2, PH3, B2H6, N2
(TEOS, TEB, TMOP, O3, TMAはオプション)
|
|
成膜溫度
|
350～450℃ (200～350℃)
|
|
生産性
|
–
|
●太陽電池用連続式常圧CVD(APCVD)裝置: AMAX1000S
|
膜厚均一性
|
≦±10%
|
|
対応ウェハサイズ
|
156mm角?126mm角
|
|
ガス種
|
SiH4, O2, PH3, B2H6, N2
|
|
成膜溫度
|
～430℃
|
|
生産性
|
～1500枚/時
|
●ガラス基板用常圧CVD(APCVD)裝置
|
膜厚均一性
|
±10%
|
|
対応ガラス基板サイズ
|
4.5世代
|
|
ガス種
|
SiH4, O3, PH3, B2H6, N2
|
|
成膜溫度
|
150～300℃
|
AMATANI SEISAKUSHO株式會社天谷制作所